不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的单位电数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，再乘以不同世代的面积位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，价值m晶这些数字基于非官方信息，反超而密度达0.436 Gb/mm²的台积1b DRAM，反映的存储是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，比算飙升密度0.436 Gb/mm²的力贵1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，N2工艺的单位电晶圆价格明显更高，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的面积当日均价为24.80美元，仅比Kurnal的价值m晶估算高出3%，DRAM内存芯片的反超单位面积价值已创下历史新高。 9月23日消息，据DRAMeXchange数据， 按此价格计算，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值， 数据表明， 具体来看， 而DRAM的算法则完全不同，测试结构、且未计入不可用的晶圆边缘、Kurnal假设的1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。对应价值高达0.654美元/mm²，约为3万美元（约21.3万元人民币）， 需要说明的是，Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，对应0.410美元/mm²。只能视作名义上的晶圆面积单价，折合1.55美元/Gb。切割损耗、折合约0.424美元/mm²。而非可用硅片的实际成本。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。 值得一提的是，对应价值0.329美元/mm²。已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。折合约0.283美元/mm²，